Параметры интегральной микросхемы К153УД5, К153УД501
| Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам |
Корпус ИМС К153УД5
Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхемы представляют собой прецезионные малошумящие операционные
усилители с выходным напряжением
10 В, большими
коэффициентами усиления и подавления синфазной составляющей, низким дрейфом
напряжения смещения нуля и чувствительностью к изменениям напряжения
питания (коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение
смещения нуля менее 35 мкВ/В). Имеют защиту выхода от коротких замыканий.
Содержат 45 интегральных элементов. Корпус К153УД5 типа 301.8-2, К153УД501
типа 3101.8-1, масса не более 1,3 г.
Корпус ИМС К153УД501
Типовая схема включения ИМС К153УД5, К153УД501
1,8 - балансировка; 2 - инвертирующий вход; 3 - неинвертирующий вход; 4 - напряжение питания (-Uп);
5 - частотная коррекция; 6 - выход; 7 - напряжение питание (+Uп);
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания |
15 В
10 % |
| 2 | Максимальное выходное напряжение при Uп=
15 В, Uвх= 0,1
0,01 В, Rн= 2
0,04 кОм |
|
10| В |
| 3 | Напряжение смещения нуля при Uп=
15 В, Rн
10 кОм |
2,5 мВ |
| 4 | Средний входной ток при Uп=
15 В, Rн
10 кОм |
250 нА |
| 5 | Разность входных токов при Uп=
15 В, Rн
10 кОм |
30 нА |
| 6 | Ток потребления при Uп=
15 В, Rн
10 кОм |
5 мА |
| 7 | Коэффициент усиления напряжения при Uп=
15 В, Rн=2
0,04 кОм, |
400000 |
| 8 | Коэффициент ослабления синфазных напряжений при Uп=
15 В, Rн
10 кОм |
94 дБ |
| 9 | Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение
смещения нуля при Uп=
15 В, Rн
10 кОм |
35мкВ/В |
| 10 | Частота единичного усиления | 0,1 МГц |
| 11 | Входное сопротивление | 1 МОм |
| 12 | Температурный дрейф напряжения смещения нуля | 7 мкВ/ ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания в предельном режиме |
(13,5...16,5) В
(5...16,5) В
|
| 2 | Входное напряжение в предельном режиме |
|
4,5| В
5 В |
| 3 | Синфазные входные напряжения |
|
13,5|
В |
| 4 | Сопротивление нагрузки |
2 кОм |
| 5 | Рассеиваемая мощность в предельном режиме |
450 мВт,
500 мВт |
| 6 | Статический потенциал | 100 В |
| 7 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Общие рекомендации по применению
Максимальная температура пайки микросхем (270
10) ° C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм,
продолжительность пайки не более 3 с. При проведении монтажных операций
допускается не более трех перепаек микросхем. Корпус ИС находится под
отрицательным потенциалом.
Зарубежные аналоги
µ A725
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.
| Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам |