К1114СП1А, К1114СП1Б - схема контроля режимов работы источников питания
| Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам |
Корпус К1114СП1
Функциональная схема К1114СП1
Схема включения К1114СП1
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Рекомендации по применению
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхемы представляет собой схему контроля режимов работы источников питания и предназначены для построения схем контроля напряжений и токов источников питания, уровней сигналов постоянного и переменного токов, узлов защиты электронных схем, RC-генераторов, одновибраторов, схем задержки и формирования импульсов. В состав схемы входят компараторы контроля напряжения К1 и К2, компаратор контроля тока К3, ИОН и стабилизатор напряжения. Корпус типа 2102.14-1 масса не более 1 г.
Корпус К1114СП1
Функциональная схема
|
1 - инвертирующий вход К1; 2 - неинвертирующий вход К1; 3 - неинвертирующий вход К3; 4 - инвертирующий вход К3; 5 - выход К3; 6 - выход К1; 7 - выход К2; 8 - напряжение питания; 9,11 - свободный; 10 - общий; 12 - опорное напряжение; 13 - неинвертирующий вход К2; 14 - инвертирующий вход К2; |
Электрические параметры
| 1 | Опорное напряжение при Uп=8 В, Iвых.комп=0 К1114СП1А К1114СП1Б |
3,8...4,2 В 3,7...4,3 В |
| 2 | Остаточное напряжение при Uп=8 В, Iвых.комп=10 мА | не более 0,8 В |
| 3 | Напряжение гистерезиса при Uп=8 В, Iвых.комп=0
Uком=5 В К1114СП1А К1114СП1Б |
не более 5 мВ не более 10 мВ |
| 4 | Напряжение срабатывания К1114СП1А К1114СП1Б |
-5...+5 мВ -10...+10 мВ |
| 5 | Входное напряжение выводы 1,2,13,14 выводы 3,4 |
-0,1...+4,5 В -0,1...+2,5 В |
| 6 | Ток закрытой микросхемы при Uп=36 В, Iвых.комп=0
Uком=36 В К1114СП1А К1114СП1Б |
не более 100 мкА не более 150 мкА |
| 7 | Входной ток компаратора при Uп=8 В, Iвых.комп=0 Uком=5 В | не более 5 мкА |
| 8 | Выходной ток ИОН и компараторов | 10 мкА |
| 9 | Ток потребления при Uп=36 В, Iвых.комп=0, Uком=5 В | не более 8 мА |
| 10 | Нестабильность по напряжению ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0 К1114СП1А К1114СП1Б |
не более 0,01%/B не более 0,02%/B |
| 11 | Нестабильность по току ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0 | не более 10%/А |
| 12 | Время задержки переключения | 5 мкс |
| 13 | Длительность фронта и спада импульса выходного напряжения | 2 мкс |
| 14 | Температурный коэффициент ИОП при Uп=8 В,
Iвых.комп=0 К1114СП1А К1114СП1Б |
не более 0,01%/ ° C не более 0,02%/ ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания | 8...36 В |
| 2 | Rоммутироемое напряжение | не более 36 В |
| 3 | Выходной ток ИОП | не более 10 мА |
| 4 | Выходной ток компаратора | не более 10 мА |
| 5 | Рассеиваемая мощность при T=-10...+40 ° C при T=+70 ° C |
0,8 Вт 0,4 Вт |
| 6 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Рекомендации по применению
Допускается использовать источник опорного наряжения в качестве маломощного стабилизатора фиксированного напряжения с выходным током до 10 мА. ИОП имеет защиту от короткого замыкания с порогом ограничения выходного тока 20...25 мА. Допускается использование компараторов в качестве RC-генераторов, формирователей импульсов калиброванной длительности и узлов временной звдержки импульсов. В случае использования отдельных компараторов рекомендуется подключать неинвертирующий вход неиспользованных компараторов к ИОП, а их инвертирующий вход к общей шине. При всех условиях эксплуатации напряжение на входах компараторов должно находиться в пределах -0,2...+6 В. ИС сохраняет работоспособность при снижении напряжения питания до 5,5 В. ИС допускает кратковременное (до 1 с) увеличение выходных токов до 20 мА. Суммарная емкость радиокомпонентов и монтажа, подклюменных к выходным транзисторам, не должна превышать 0,1 мкФ.
Зарубежные аналоги
SG3551
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 8./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1998г. - 640с.:ил.
Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7
| Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам |