QRZ.RU > Схемы и документация > Безопасность > Схема индикатора поля на двух микросхемах (20—1300 МГц, чувствительность — 1 мВ)
Схема индикатора поля на двух микросхемах (20—1300 МГц, чувствительность — 1 мВ)
Описание: Индикатор поля на двух микросхемах, схема которого представлена на рис. 4.2, немного сложнее по конструкции, но значительно удобнее в работе. Прибор удобно использовать для контроля за работой и настройки маломощных передающих устройств, работающих в широком диапазоне частот. Рабочая частота составляет 20—1300 МГц, чувствительность — 1 мВ, пределы локализации лежат в пределах 0,05—7 м. Напряжение питания 4,5—9 В, а ток потребления не превышает 8 мА. Прибор имеет телескопи ...
Категории:
Информация о файле
Технический форум EHAM.RU - обсуди эту схему!  Отредактировать эту запись?Все схемы Просмотров всего 1,545, сегодня 1 |
Рейтинг читателей этой схемы |
Похожие схемы
| Название | Категории | Обновлено |
|---|---|---|
| Индикатор поля на двух микросхемах- детекторы напряженности поля | Безопасность |
17.01.2002 12:00 |
| Схема индикатора напряжения поля на транзисторе КП103 | Безопасность |
16.11.2016 22:41 |
| Схема индикатора напряженности поля выполненного на ОУ 140УД6 | Безопасность |
16.11.2016 22:00 |
| Высокая чувствительность приемника, простыми методами | Радиолюбителю-конструктору >> Радио |
18.02.2005 07:47 |
| Высокая чувствительность приемника, простыми методами | Радиоприемники |
07.04.2006 22:47 |