QRZ.RU > Схемы и документация > Аудиотехника > Схемы транзисторных УНЧ > High-End УМЗЧ на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона (350 Вт)
High-End УМЗЧ на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона (350 Вт)
Описание: Карел Бартон построил свой High-End УМЗЧ (рис. 2.2) на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1—Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18, Т19). Благодаря этому практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей р-п-переходов от тока коллектора и ...
Категории:
Информация о файле
Технический форум EHAM.RU - обсуди эту схему!  Отредактировать эту запись?Все схемы Просмотров всего 6,941, сегодня 3 |
Рейтинг читателей этой схемы |
Похожие схемы
| Название | Категории | Обновлено |
|---|---|---|
| Сверхлинейный УМЗЧ класса High-End на транзисторах (80Вт) | Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ |
16.11.2016 21:22 |
| High-End УМЗЧ Джованни Сточино (100 Вт) | Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ |
16.11.2016 21:21 |
| Малошумящий High-End предусилитель на транзисторах | Аудиотехника >> Предусилители |
16.11.2016 21:50 |
| УМЗЧ Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET | Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ |
16.11.2016 21:21 |
| Широкополосный УМЗЧ на полевых транзисторах (10Вт ) | Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ |
16.11.2016 21:22 |