Минпромторг России и МНТЦ МИЭТ разработали масштабную программу по импортозамещению оборудования для производства электроники к 2030 г. Для этого в стране запустят 110 проектов ОКР и потратят больше 240 млрд руб.
План развития электронного машиностроения
Программа развития электронного машиностроения предусматривает импортозамещение около 70% оборудования и материалов для производства микроэлектроники к 2030 г. Для этого в России будет запущено 110 опытно-конструкторских работ (ОКР); некоторые из которых предполагают создание нескольких установок, пишет «Коммерсант», ссылаясь на презентацию проекта руководителя департамента электронного машиностроения международного научно-технологического центра (МНТЦ) МИЭТ Якова Петренко.
На программу предусмотрено бюджетное финансирование в размере более 240 млрд руб. до 2030 г., сказал изданию представитель Минпромторга. Он уточнил, что в реализации уже задействовано более 50 организаций. Уже сейчас начата 41 ОКР, в 2024 г. будет запущено еще 26, а в 2025–2026 гг. – еще 43.
Документ разработан Минпромторгом и МНТЦ МИЭТ. Он содержит четыре направления: технологическое оборудование, материалы и химические вещества, системы автоматизированного проектирования (САПР). Минпромторг также завершает работу над созданием отдельной программы по локализации производства критических компонентов технологического оборудования.
Какое оборудование будут импортозамещать
В России используется не менее 400 моделей оборудования для производства микроэлектроники и только около 12% из них «в лучшем случае» можно было произвести на территории России, отметил Петренко.
Для импортозамещения оборудования для производства электроники запустят 110 проектов ОКР
При этом из-за санкций, например, оборудование для монтажа компонентов на печатные платы, сборки конечных устройств, испытания и контроля качества изготовленных изделий подорожало на 40–50%.
В рамках программы развития электронного машиностроения планируется разработать отечественное оборудование для производства 20 технологических маршрутов, включая микроэлектронику (от 180 до 28 нм), СВЧ-электронику, фотонику, силовую электронику, производство фотошаблонов и сборку электронно-компонентной базы и модулей, производство пассивной электроники и т. д.
К концу 2026 г. на российском оборудовании планируется выращивать монокристаллы, резать их, шлифовать и полировать, отмывать и сушить, наносить элементы и контролировать выходные изделия (рентгеновский дифрактометр, контроль дефектов). А еще должны быть созданы литографы с УФ-диапазоном для производства процессоров по топологическим нормам 350 нм и 130 нм, и установка для электронно-лучевой литографии для 150 нм. К 2030 г. планируется создать производство сканеров для чипов топологии 90–65 нм.
К 2026 г. должна быть также освоена эпитаксия — процесс, при котором на одной подложке выращивается несколько слоев полупроводниковых материалов.
Всего будет создано 15 типов контрольно-измерительного оборудования, 13 типов плазмохимических установок, 10 установок для литографии, девять для корпусирования, по восемь типов для производства фотошаблонов и эпитаксии, семь для производства пластин и т. д.
Распределение бюджетов
Затраты государства на развитие микроэлектроники распределены по различным госпрограммам, в том числе «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности» и «Научно-технологическое развитие России».
Так, на «Научно-технологическое развитие России» в 2023-2025 гг. будет субсидировано свыше 100 млрд руб. Деньги потратят на опытно-конструкторские работы (ОКР) в сфере разработки оборудования для производства микро-, СВЧ-, силовой и оптоэлектроники, а заодно и различных специализированных материалов.
Затраты на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (НИОКР) по «дорожной карте» развития российских САПР до 2030 г. составят 54,6 млрд руб. до 2030 г.
1207
