УМЗЧ на транзисторах с изолированным затвором IGBT (70 Вт)

Алекс Мак разработал УМЗЧ (рис. 2.12) на биполярных транзисторах с изолированным затвором (БТИЗ, в английской аббревиатуре IGBT). Высокая линейность достигнута благодаря применению в каскадах усиления напряжения схем с ОБ (Т1, Т2) и токовых зеркал (ТЗТ4, Т6Т7), токовую раскачку которых осуществляет ИМС SSM2131.

Оригинально решена и задача поддержания нулевого постоянного напряжения на выходе усилителя — посредством токового перераспределения интегрирующего компаратора на ОУ ОР-97.

При напряжениях питания U,=40 В усилитель развивает 70 Вт на нагрузке 8 Ом при коэффициенте гармоник 0,001% (1 кГц) и 0,009% (20 кГц), скорости нарастания 200 В/мкс, полосе частот от 0 до 1 МГц (-3 дБ). Единственная предусмотренная регулировка — установка триммером Р1 тока покоя 130—150 мА.

Рис 2.12. Схема УМЗЧ на биполярных транзисторах с изолированным затвором (IGBT)

Источник: Сухов Н. Е. - Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками.

Журнал Радиохобби - radiohobby.QRZ.ru