Что-то не так?
Пожалуйста, отключите Adblock.
Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений.
Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.
Как добавить наш сайт в исключения AdBlock
УМЗЧ Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET
УМЗЧ Иштвана Урбана (рис. 2.3) построен на четырех парах полевых транзисторов HEXFET. Классическая схемотехника:
- с токовым зеркалом (Т2, ТЗ) в качестве нагрузки первого дифкаска-да (Т4, Т5);
- с активными генераторами тока (Т13, Т8);
- с каскодным усилителем напряжения (Тб, Т7).
Усилитель дополнен оригинальным каскадом на ОУ IC1, который для звуковых частот является повторителем напряжения (100%-ная местная ООС через С4). Поэтому он не входит в петлю общей ООС УМЗЧ, но, в то же время, через резистор R15 замыкает петлю ООС по постоянному току и зорко следит за нулем на выходе УМЗЧ.
На ІС2, терморезисторе R30 и транзисторах Т1, Т14 выполнена схема автоматического приглушения (MUTING), срабатывающая при перегреве выходных транзисторов. На нагрузке 4 Ом усилитель развивает постоянную синусоидальную мощность 225 Вт и пиковую 300 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,1% во всем звуковом диапазоне частот.
Рис. 2.3. Схема УМЗЧ Иштвана Урбана
Источник: Сухов Н. Е. - Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками.
Журнал Радиохобби - radiohobby.QRZ.ru
Источник:
Radiostorage.net/